新品发布：UP0D9N10CT--UOE突破性的100V 超低内阻0.83mΩ的功率MOSFET

我们非常自豪地宣布推出一款全新的100V N沟道功率MOSFET，这款产品采用了最先进的制造工艺，不仅在性能上超越了现有的同类产品，而且在某些关键参数上也取得了显著的进步。

核心特点：

- 超低导通电阻：我们的新产品UP0D9N10CT达到了前所未有的低导通电阻（RDS(on)），仅为0.83毫欧（mΩ），远低于目前国际知名品牌英飞凌100V产品的最低1.4毫欧。

- 高效率：更低的导通电阻意味着更低的导通损耗，在提高效率的同时减少了发热。

- 卓越的热性能：通过优化设计，确保了出色的散热性能，从而提高了整体可靠性和使用寿命。

- 可靠的封装：采用坚固耐用的TOLL封装形式，适用于各种工业和汽车应用环境。

- 宽泛的工作温度范围：能够在极端温度条件下稳定工作，满足不同应用场景的需求。

应用领域：

- 电源管理：适用于开关电源、DC/DC转换器等。

- 电机控制：用于精密电机驱动、逆变器等。

- 汽车电子：适合于电动汽车、混合动力车辆以及车载充电器等。

- 工业自动化：应用于机器人、伺服驱动和其他自动化设备。

技术规格：

- 额定电压：100V

- 低导通电阻: 0.83 mΩ

- 最大连续电流：400A

- 封装类型：TOLL

发布计划：

- 本产品已于2024年8月1日正式上市，并开始接受量产预订。

我们期待着与您分享更多关于这款革命性产品的细节。如果您有兴趣了解更多信息或希望参与早期评估，请联系我们的销售代表。或发送邮件至sales@uoetek.com索取最新规格书资料。