新作発表:UP0D9N10CT——UOE重んじる100 v超低内阻0.83 mオメガのパワーMOSFET

我々は、最先端の製造プロセスを採用した新しい100V NトレンチドパワーMOSFETのリリースを非常に誇りに思っています。この製品は、既存の同類の製品の性能を超えるだけでなく、いくつかの重要なパラメーターの著しい進歩を達成しています。

中心的な特徴です:

—超低導通の抵抗は、我々の新製品:UP0D9N10CT未曾有の低い導通に達した抵抗(RDS (on)、わずか0.83 m、オメガよりはるかに現在の国際ブランドのインフィニオン100 Vの製品の最低の1.4 mオメガ。

-高効率:オン抵抗が低いことは、オン損失が低いことを意味し、効率を高めながら発熱を低減します。

-優れた熱性能:設計を最適化し、優れた放熱性能を確保することで、全体的な信頼性と寿命を向上させました。

-信頼性のパッケージ:堅牢なTOLLパッケージの形式を採用して、さまざまな工業と自働車のアプリケーション環境に適しています。

-広範な働作温度範囲:極端な温度条件の下で安定して働作することができて、異なる応用シーンの需要を満たします。

応用分野です:

-電源管理:スイッチング電源、DC/DCコンバータなどに適しています。

-電机制御:精密電机駆働、インバータなどに使われます。

-カーエレクトロニクス:電気自働車、ハイブリッド車、車載充電器などに適しています。

-産業自働化:ロボット、サーボ駆働と他の自働化設備に応用します。

技術仕様です。

-定格電圧:100Vです。

−低導通抵抗は0.83 mオメガ

最大連続電流は400Aです

パッケージタイプ:TOLLです

発表予定です。

-本製品は2024年8月1日に正式発売し、量産予約を開始しました。

この革新的な製品について、さらなる詳細をご紹介できるのを楽しみにしています。もしあなたがもっと詳しい情報を知りたいと興味を持ったり、早期の評価に参加したいと希望するならば、私達の販売の代表者に連絡してください。または最新仕様書資料を取り寄せますsales@uoetek.comまでメールします。

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